Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
AnasayfaÜrünlerEndüstriyel Akıllı Modül AksesuarlarıDDR3 UDIMM Bellek Modülü Özellikleri

DDR3 UDIMM Bellek Modülü Özellikleri

Ödeme şekli:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. sipariş:
1 Piece/Pieces
Ulaşım:
Ocean,Air,Express,Land
  • Ürün Açıklaması
Overview
Ürün özellikleri

model numarası.NSO4GU3AB

Tedarik Yeteneği ve Ek Bilgiler

UlaşımOcean,Air,Express,Land

Ödeme şekliL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Paketleme ve Teslimat
Satış Birimleri:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 pimli DDR3 UDIMM


Revizyon Geçmişi

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Sipariş Bilgi Tablosu

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Tanım
Hengstar, DDR3 SDRAM DIMM'leri (SFFFEF'siz Çift Veri Hızı Senkron DRAM çift sıralı bellek modülleri), DDR3 SDRAM cihazlarını kullanan düşük güç, yüksek hızlı çalışma bellek modülleridir. NS04Gu3AB, on altı 256m x 8 bit FBGA bileşenlerine dayanan 512m x 64 bit iki rütbe 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM gereksiz DIMM ürünüdür. SPD, 1.5V'de 11-11-11'lik JEDEC Standart Gecikme DDR3-1600 zamanlamasına programlanmıştır. Her 240 pimli DIMM altın temas parmakları kullanır. SDRAM, PC'ler ve iş istasyonları gibi sistemlere yüklendiğinde ana bellek olarak kullanılmak üzere tasarlanmıştır.


Özellikler
 Power Tedarik: VDD = 1.5V (1.425V - 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V ila 1.575V)
1600MB/sn/pim için 800MHz FCK
8 Bağımsız İç Banka
 Programlanabilir CAS gecikmesi: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Programlanabilir Katkı Gecikmesi: 0, CL - 2 veya CL - 1 Saat
8-bit ön getirme
 Püret uzunluğu: 8 (herhangi bir sınırsız, sadece “000” başlangıç ​​adresi ile sıralı), 4 TCCD = 4 ile kesintisiz okumaya veya yazmaya izin vermeyen [ya A12 veya MRS kullanarak anında]
BI-yönlü diferansiyel veri flaşı
 Dürüst (benlik) kalibrasyon; ZQ PIN ile dahili kendi kendine kalibrasyon (RZQ: 240 ohm ±%1)
 ODT pimi kullanarak ölüme sonlandırma
 Orta Yenileme Dönemi 7.8us 85 ° C'den daha düşük bir sürede, 85 ° C'de 3.9us <TCE <95 ° C
Senkron sıfırlama
 Tartışılabilir veri-çıktı sürücü mukavemeti
 Baskı topolojisi
PCB: Yükseklik 1.18 ”(30mm)
ROHS uyumlu ve halojensiz


Anahtar zamanlama parametreleri

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Adres tablosu

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


PIN Açıklamaları

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Notlar Aşağıdaki PIN Açıklama tablosu, tüm DDR3 modülleri için tüm olası pimlerin kapsamlı bir listesidir. Listelenen tüm pimler Bu modülde desteklenmez. Bu modüle özgü bilgiler için PIN atamalarına bakın.


Fonksiyonel blok diyagramı

4GB, 512MX64 Modülü (x8'in 2rantı)

1


2


Not:
1. Her DDR3 bileşenindeki ZQ bilgisi, zemine bağlı harici 240Ω ±% 1 dirençine bağlanır. Bileşenin ölçekli sonlandırma ve çıkış sürücüsünün kalibrasyonu için kullanılır.



Modül boyutları


Önden görünüş

3

Önden görünüş

4

Notlar:
1. Tüm boyutlar milimetre (inç); Maks/dk veya tipik (tip) belirtildi.
2. Aksi belirtilmedikçe tüm boyutlarda ± 0.15mm.
3. Boyutsal diyagram sadece referans içindir.

Ürün kategorileri : Endüstriyel Akıllı Modül Aksesuarları

Bu tedarikçi için e-posta
  • *Konu:
  • *için:
    Mr. Jummary
  • *E-posta:
  • *İleti:
    Mesaj 20-8000 karakter arasında olmalıdır
AnasayfaÜrünlerEndüstriyel Akıllı Modül AksesuarlarıDDR3 UDIMM Bellek Modülü Özellikleri
Talep Gönder
*
*

Ev

Product

Phone

Hakkımızda

Sorgulama

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Gönder